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      加碼新技術 三安設立Mini/Micro LED研發基地

      據業內人士稱,三安光電目前正在中國中部建設一個Mini/Micro LED研發基地,投資額為120億元人民幣(17億美元)。

      消息人士表示,三安將在該研發基地展開GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K顯示器的研發。與此同時,三安還計劃在該基地建立161萬個GaN Mini/Micro LED芯片、750,000個GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000個4K顯示器的年生產能力。GaN業務部門年產能將包括720,000個藍光Mini LED芯片、90,000個藍光Micro LED芯片、720,000個綠光Mini LED芯片和80,000個綠光Micro LED芯片,而GaAs業務部分年產能將包括660,000個紅光Mini LED芯片和90,000個紅光Micro LED芯片。

      然而,消息人士指出,三安光電目前尚未透露何時開始生產GaN和GaAs Micro LED芯片。

      此外,三安光電已經與三星電子合作,共同開發Mini/Micro LED技術

      而總部位于中國臺灣的PlayNitride,則計劃在2019年8月底開始試產多達3000片LED外延片,而三星也已選擇PlayNitride作為其Micro LED外延片的獨家供應商。

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